Vstup na trh koherentných optických prenosov! Táto optoelektronika uvádza na trh vysokovýkonný laserový čip DFB

Nedávno HieFo, popredná spoločnosť v oblasti optickej komunikácie, oficiálne uviedla na trh svoj laserový čip HCL30 DFB, ktorý je navrhnutý tak, aby spĺňal prísne požiadavky na koherentný optický prenos.
Čip, ktorý kombinuje vysoký optický výstupný výkon s vynikajúcim výkonom s úzkou šírkou linky, ponúka viacero štandardných vlnových dĺžok v pásme O aj C, čím poskytuje bezprecedentné vylepšenia výkonu pre dátové centrá, konektivitu s umelou inteligenciou, komunikáciu a snímanie na všeobecné účely.
Laserový čip HCL30 DFB bol vyvinutý špeciálne pre trh „Coherent Lite“; na základe nedávnych inovácií HieFo v dizajne čipov však špičkový výkon laserového čipu HCL30 DFB umožní široké spektrum aplikácií vrátane dátových centier, konektivity AI, komunikácie a snímania na všeobecné účely,“ povedal Dr. Genzao Zhang, spol. Špičkový výkon laserového čipu zakladateľa a generálneho riaditeľa HieFo bude využitý v širokom spektre aplikácií, ako sú dátové centrá, konektivita AI, komunikácia a všeobecné použitie. snímanie."
HieFo HCL30 je čip s dĺžkou dutiny 1 mm dostupný vo formáte matrice alebo čipu na nosiči (COC) namontovaný na patentovanej základni. Zariadenie je schopné dosiahnuť výkon šírky spektrálnej čiary menej ako 300 kHz a zároveň poskytuje 150 mW typického optického výstupného výkonu.
HCL30 je ideálnym integračným riešením v dnešných vysoko integrovaných optických platformách založených na dizajne kremíkovej optickej integrácie. Nové technológie CPO (co-packaged optics) a LPO (distribuovaná optika) môžu tiež využiť jedinečný výkon tohto novo vydaného laserového čipu.
HCL30 je prvý z nových laserových produktov HieFo DFB, ktorý bol predstavený ako výsledok nedávnych inovácií v architektúre dizajnu čipov InP. Ďalšie varianty produktov budú predstavené v budúcnosti, aby spĺňali špecifické požiadavky na optický dizajn, ako sú efektívne návrhy pre ultra vysoký optický výstupný výkon alebo výkon s veľmi úzkou šírkou čiary.
Uvedenie novej generácie čipu s vysokým príkonom HGC20
HieFo tiež nedávno uviedol na trh HGC20, čip novej generácie s vysokým príkonom pre integrované laditeľné laserové zostavy (xITLA).
Čip HGC20 C+ od HieFo, navrhnutý tak, aby riešil kritickú potrebu trhu pre vyšší optický výstupný výkon a nižšiu spotrebu energie, nastavuje nový výkonový štandard ako stavebný blok pre ďalšiu generáciu integrovaných laditeľných laserov (xITLA).
Dr. Genzao Zhang povedal: "Predstavenie čipu HGC20 je príkladom inovácií, ktoré HieFo prinesie na trh s optickou komunikáciou v nadchádzajúcich mesiacoch a rokoch."
Dodal: „HieFo výrazne zlepšil dizajn čipovej základne, ktorý bude slúžiť ako základ pre širokú škálu čipových aplikácií založených na InP, ktoré budú poháňať ďalšiu generáciu optických prepojení pre dátové centrá, komunikačné trhy a trhy s konektivitou AI. ."
HGC20 je čip s dĺžkou dutiny 1 mm namontovaný na patentovanej základni s optickým výstupným výkonom blížiacim sa 22 dBm (v závislosti od prúdu pohonu). Pre aplikácie vyžadujúce nižšiu celkovú spotrebu energie modulov umožňuje vysoko efektívny dizajn HGC20 až 40-percentné zlepšenie účinnosti nástennej zástrčky (WPE) v porovnaní s bežnými čipmi so ziskom na trhu.
Technológia ziskového čipu HieFo je základným stavebným kameňom na trhu laditeľných laserov už viac ako 15 rokov a HGC20 naďalej vedie v odvetví vo výkonnostných parametroch, ako je frekvenčná presnosť, úzka šírka čiary a nízky šum.
Akvizícia aktív výrobcu optoelektronických zariadení EMCORE
Spoločnosť HieFo so sídlom v Kalifornii, USA, nedávno zdedila 40+-ročné dedičstvo inovácií v optoelektronike od spoločnosti EMCORE, najväčšieho svetového poskytovateľa inerciálnych navigačných riešení pre letecký a obranný priemysel, prostredníctvom odkúpenia zo strany manažmentu.
HieFo sa teraz sústreďuje na vývoj a komercializáciu vysoko účinných fotonických zariadení pre priemysel optických komunikácií a bude pokračovať v presadzovaní najinovatívnejších a najprevratnejších riešení v oblasti dátovej komunikácie, komunikácií, konektivity AI a všeobecného snímania.
Uvádza sa, že 30. apríla tohto roku kúpil HieFo od spoločnosti EMCORE obchod s čipmi a výrobu doštičiek s fosfidom india (InP) za celkovú kúpnu cenu 2,92 milióna dolárov.
To zahŕňalo prevod prakticky všetkých aktív spojených s nejadrovým ukončeným obchodom s čipmi spoločnosti EMCORE, vrátane tých, ktoré sa používajú pri výrobe doštičiek InP v Alhambre v Kalifornii, vrátane, ale nie výlučne, zariadení, zmlúv, duševného vlastníctva a inventára.
HieFo si najprv prenajme celú budovu a časť ďalšej budovy vo svojom areáli Alhambra a nakoniec prenajme dve kompletné budovy s pomernými platbami nájomného za tieto budovy od 1. júla 2024.
HieFo tiež úspešne najalo prakticky všetkých kľúčových vedcov, inžinierov a prevádzkový personál z ukončených operácií čipov EMCORE a bude pokračovať v podnikaní v kampuse EMCORE Alhambra.
Závod na výrobu fosfidových čipov indium obnovuje výrobu
Spoločnosť HieFo nedávno oznámila, že 23. augusta 2024 úspešne obnovila výrobu vo svojom závode na výrobu doštičiek Indium Phosphide (InP) v Alhambre v Kalifornii, ihneď po tom, ako manažment odkúpil výrobu doštičiek a obchodné aktíva súvisiace s čipmi od spoločnosti EMCORE. Akvizícia bola úspešne dokončená začiatkom mája 2024 a spoločnosť HieFo prevzala prevádzku hneď potom.
Prostredníctvom tejto transakcie HieFo nielenže absorboval pôvodný tím kľúčových vedcov, inžinierov a operačných talentov EMCORE, ale tiež zdedil viac ako štyri desaťročia globálneho vedúceho postavenia v dizajne a výrobe InP čipov, ako aj bohaté duševné vlastníctvo v oblasti pokročilej optoelektroniky. zariadení.
Stojí za zmienku, že spoločnosť EMCORE plánovala ukončiť podnikanie v oblasti čipov InP, čo viedlo na určitý čas k pozastaveniu výroby doštičiek. Spoločnosť HieFo však rýchlo obnovila výrobné aktivity v kampuse Alhambra so skúseným základným tímom a silnou finančnou silou.
Počas posledných troch mesiacov tím HieFo tvrdo pracoval na reštartovaní nečinného zariadenia, obnove rastu epitaxiálnych plátkov a regeneračných schopností reaktora MOCVD, reštartovaní predného procesu mikrovýroby a vybudovaní kompletného testovania zariadení, prípravy čipov a separačného procesu na back-end.
V súčasnosti zariadenia na báze InP vyrábané spoločnosťou HieFo (vrátane laserov, ziskových čipov, SOA, detektorov PIN/APD atď.) prešli náročnými testami na overenie spoľahlivosti a ich výkon, kvalita a spoľahlivosť splnili alebo dokonca prekročili stanovené štandardy.
Zvlášť pozoruhodné je, že HieFo pripravilo novo navrhnutý čip pre sériovú výrobu, ktorý je navrhnutý tak, aby podporoval transceivery s jednou nosnou vlnovou dĺžkou až do 1,6 Tbps, čo demonštruje silu svojej technologickej inovácie. Množstvo popredných výrobcov optických modulov oslovilo spoločnosť HieFo, aby si predobjednala jej vysokoúčinné optické zariadenia. Tento úspech predstavuje pre spoločnosť HieFo solídny krok vpred pri presadzovaní inovatívnych riešení pre odvetvia telekomunikácií, dátovej komunikácie a AI.
Generálny riaditeľ spoločnosti HieFo v komentári k oznámeniu povedal: „Nemôžeme byť s väčším potešením oznámiť úplné obnovenie výroby optických zariadení v našom závode v Alhambre, čo nie je len názornou demonštráciou záväzku HieFo kontinuity a dokonalosti vo vysokovýkonných optických zariadeniach. výrobu čipov, ale aj pevné presvedčenie, že aj naďalej vedieme v tomto odvetví.“